2010年3月15日，應微電子所葉甜春所長和“新器件及封裝”創新團隊邀請，美國耶魯大學馬佐平(Tso-Ping Ma)教授到微電子所進行了交流訪問，并做了主題為“Future CMOS Technology Based on III-V Semiconductor Channels”的學術報告。
馬佐平教授在報告中指出，在超高轉換速度邏輯電路應用中，正在考慮將許多高遷移率溝道材料作為硅的替代材料。在該領域的領先研究者中，他預見只有III-V族半導體材料與Si的集成才能真正成為未來主流IC技術，特別是當這種替代溝道材料首先被需要時。
在研究中，他引入新型“單極”CMOS邏輯電路作為解決許多高電子遷移率III-V族半導體材料的低空穴遷移率問題的方法。因為在CMOS轉換開關中，“單極”CMOS邏輯電路不需要p-溝道晶體管。另外，“單極”CMOS也可適用于難以同時進行p-型摻雜和n-型摻雜的其他材料，或者用于制備p-型和n-型接觸。
訪問期間，微電子所葉甜春所長、吳德馨院士、駱志炯研究員、尹海洲研究員、梁擎擎研究員、王文武研究員還就相關領域的技術問題與馬佐平教授進行了熱烈討論和深入交流。
馬佐平教授曾任耶魯大學電子工程系系主任，現為耶魯大學電子工程系Raymond John Wean 講座教授，并擔任微電子耶魯研究中心共同主任，是美國國家工程院院士、中國科學院外籍院士和電子與電機工程學會(IEEE) Fellow。其進行的研究工作對高科技產業有著重大影響，他的學生們也已在半導體和計算機硬件領域居于領軍人物地位。馬佐平獲獎眾多，其中，2005年獲電子與電機工程學會“葛洛夫獎(Andrew S. Grove Award)”；2006年因在半導體技術領域的領先性工作，獲美國半導體工業協會年度“學術研究獎(University Researcher Award)”；2008年獲得康乃狄克州頒發的“科技勛章 (Connecticut Medal of Technology)”。
馬佐平教授作報告
吳德馨院士（左二）、葉甜春所長（左三）出席報告會
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